NdGaO3

NdGaO₃(镓酸钕)主要用作高温超导体（如YBCO）和磁性材料外延薄膜生长的衬底。由于NdGaO₃和YBCO之间的晶格失配非常小（~0.27%），并且没有结构相变，因此可以在NdGaO₃衬底上外延生长质量良好的薄膜。

主要用作高温超导体（如YBCO）和磁性材料外延薄膜生长的衬底。

NdGaO3和YBCO之间的晶格失配非常小（~0.27%），并且没有结构相变，可以在NdGaO3衬底上外延生长出高质量的薄膜。

晶体结构	正交
晶胞参数Å	a=5.43、b=5.50、c=7.71
熔点	1600℃
密度	7.57g/cm³
介电常数	25
生长方法	提拉法
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向	＜100＞＜110＞＜111＞
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室