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Ga2O3
近十年来，β-氧化镓（β-Ga2O3）材料和器件技术取得了快速发展，其基于超过4.5eV的超大禁带的优异材料性能备受关注。β-Ga2O3由于其极强的击穿电场和由熔融生长的大块单晶制成的大直径、高质量晶片的可用性，在功率开关器件应用中显得特别有前景。
中科瑞晶（CasCrysTech, CCT）根据用户需求，为用户提供2英寸以内的单晶衬底基片及外延基片。
Uses/Applications
很好的电源开关设备应用前景。
Features/Benefits
是一种直接宽带隙半导体材料，具有极大的击穿电场，易于获得大尺寸晶体。
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结构
单斜
晶格常数
a=12.23Å, b=3.04Å, c=5.80Å, ß=103.7°
晶向
<100> +/-1°, <010> +/-1°
莫氏硬度
9 (mohs)
密度
5.88 (g/cm3)
熔点
1725℃
尺寸 3-220mm, 按需求订制。
厚度
按需求订制
生长方法
Czochralski, HEM
导电类型
半绝缘, xx-掺杂
抛光
外延抛光, RMS<0.5nm, 或
光学级抛光
平行度
15 arcsec
位错密度 20/10 scratch/dig
包装 100级洁净袋,单盒装，氮气保护下包装。 -
按需求订制。